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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)

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dram简介

  DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)

  工作原理

  动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。

  3管动态RAM的工作原理3管动态RAM的基本存储电路。在这个电路中,读选择线和写选择线是分开的,读数据线和写数据线也是分开的。

  写操作时,写选择线为“1”,所以Q1导通,要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极,并通过栅极电容在一定时间内保持信息。

  读操作时,先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电,当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有“1”,则Q2导通,读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为“0”,正好和原存信息相反;若原存信息为“0”,则Q3尽管具备导通条件,但因为Q2截止,所以,CD上的电压保持不变,因而,读得的信息为“1”。可见,对这样的存储电路,读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相再送往 数据总线。

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